2024. Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3). Científica. 26, 2 (Sep. 2024), 1–12. DOI:https://doi.org/10.46842/10.46842/ipn.cien.v26n2a09.