Implementación De Un Sistema De depósito químico En Fase Vapor Asistido Por Filamento Caliente (HFCVD) Para La obtención Del Semiconductor trióxido De Tungsteno (WO3). Cien. 2024, 26 (2), 1-12. https://doi.org/10.46842/10.46842/ipn.cien.v26n2a09.