Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3). Científica, [S. l.], v. 26, n. 2, p. 1–12, 2024. DOI: 10.46842/10.46842/ipn.cien.v26n2a09. Disponível em: https://cientifica-ipn.com/index.php/esime/article/view/102.. Acesso em: 23 nov. 2024.