“Implementación De Un Sistema De depósito químico En Fase Vapor Asistido Por Filamento Caliente (HFCVD) Para La obtención Del Semiconductor trióxido De Tungsteno (WO3)”. 2024. Científica 26 (2): 1-12. https://doi.org/10.46842/10.46842/ipn.cien.v26n2a09.