“Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3)”, Cien., vol. 26, no. 2, pp. 1–12, Sep. 2024, doi: 10.46842/10.46842/ipn.cien.v26n2a09.