“Implementación De Un Sistema De depósito químico En Fase Vapor Asistido Por Filamento Caliente (HFCVD) Para La obtención Del Semiconductor trióxido De Tungsteno (WO3)”. Científica 26, no. 2 (September 10, 2024): 1–12. Accessed September 19, 2024. https://cientifica-ipn.com/index.php/esime/article/view/102.