Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3). Cien. [Internet]. 2024 Sep. 10 [cited 2024 Nov. 23];26(2):1-12. Available from: https://cientifica-ipn.com/index.php/esime/article/view/102